材料名称 砷化铟
分子式 InAs
简介 利用InAs单晶衬底，可以生长InAsSb/In-AsSb、InNaSb等异质结材料，制备波长为2-14μm的红外发光器件；InAs单晶衬底也可以用于外延生长AlGaSb超晶格结构材料；中红外量子级联激光器；这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景；此外，InAs单晶具有较高的电子迁移率，是制作霍尔器件的理想材料；作为单晶衬底，InAs材料需要具有低的位错密度、良好的晶格完整
规格 10x5、10x10、15x15、20x15、20x20、Ф1″、Ф2″mm
厚度 0.3、0.35、0.5、1mm等根据客户需求定制；
抛光 单面或双面
包装 100级洁净袋，1000级超净室
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